Главные особенности модуля памяти Hynix DDR2 800 DIMM 1Gb
DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1×1024 Мб, 1.8 В, CL 5
Описание модуля памяти Hynix DDR2 800 DIMM 1Gb
Техно
ИНФОРМАЦИЯ
Объем
1024MB
Тип
DDR2
Частота (действенная)
800 MHz
Пропускная способность
6400 MB/sec
Напряжение питания
1.8V
Тайминги
CL5
Проверка и корректировка ошибок (ECC)
нет (Non-ECC)
Буферизация (Registered)
нет (unbuffered)
Технические свойства модуля памяти Hynix DDR2 800 DIMM 1Gb
| Форм-фактор: |
DIMM 240-контактный |
| Объем: |
1 модуль 1024 Мб |
| Тип памяти: |
DDR2 |
| Тактовая частота: |
800 МГц |
| Поддержка ECC: |
нет |
| Буферизованная (Registered): |
нет |
| Низкопрофильная (Low Profile): |
нет |
| Пропускная способность: |
6400 Мб/с |
| CAS Latency (CL): |
5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): |
5 |
| Row Precharge Delay (tRP): |
5 |
| Напряжение питания: |
1.8 В |
| Количество чипов каждого модуля: |
16, двухсторонняя упаковка |
| Количество ранков: |
2 |
Комментирование на данный момент запрещено, но Вы можете оставить
Июнь 28th, 2016 
admin 
Опубликовано в рубрике 
